1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为ma级，硅管为na级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流is很小。 2） 在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值ur后，电流才明显增长。通常把电压ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的is远小于锗二极管的is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5v~0.6v, 锗二极管的门限电压约为0.1v~0.2v。
与锗相比，硅原子对电子的吸引力更大一些，使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。~能不能再补充说明？ 补充： "锗的ni"ni 是什么？ 满意答案一粒米8级2009-03-081） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。2） 在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V, 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。○Οο海оΟ 的感言： 基体改进剂LAURASTA劳拉之星挂烫机不通电网点是？ 麻烦回一下~ 2009-03-08其他回答(2)ZZ10级2009-03-08你说的没错呀。
1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。
2） 在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V, 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。
300K下,Si的禁带宽度是1.12eV,GeSi的禁带宽度是0.67eV，所以本征Ge的载流子浓度远高于Si的，其反向饱和电流密度I0也更大。
I=I0 * [exp(qV/(kT)) - 1]
所以Ge管开启电压更低。
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